特許
J-GLOBAL ID：200903022927506261
薄膜ガスセンサおよびその駆動方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
友松 英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-353703
公開番号（公開出願番号）：特開平7-198645
出願日： 1993年12月29日
公開日（公表日）： 1995年08月01日
要約：
【要約】【目的】 本発明によりヒータ及び電極と支持体の熱膨張の違いにより発生する応力を緩和することで反りを防ぎ、個体間の温度制御を安定化させる構造の張出し部を有する薄膜ガスセンサ及び薄膜ガスセンサの支持体上下ヒータ部をパルス駆動することにより、駆動時の変位を防ぎ、安定した温度制御を可能にする駆動方法を提供する。【構成】 基板、前記基板上に空中に張り出して設けられた張り出し部、前記基板および張り出し部のうちの少なくとも張り出し部上に支持体(絶縁層)、該支持体に形成されたガス検出用の金属酸化物半導体層、該金属酸化物半導体層に接触する電極、該電極リードにほぼ並置して設けられたヒータを有するガスセンサにおいて、前記基板および張り出し部のうちの少なくとも張り出し部の支持体(絶縁層)下部に応力緩和用の層を形成させたことを特徴とする薄膜ガスセンサ。
請求項（抜粋）：
基板、前記基板上に空中に張り出して設けられた張り出し部、前記基板および張り出し部のうちの少なくとも張り出し部上に支持体(絶縁層)、該支持体上に形成されたガス検出用の金属酸化物半導体層、該金属酸化物半導体層に接触する電極、該電極にほぼ並置して設けられたヒータを有するガスセンサにおいて、前記基板および張り出し部のうちの少なくとも張り出し部の支持体(絶縁層)下部に応力緩和用の層を形成させたことを特徴とする薄膜ガスセンサ。
引用特許：
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