特許
J-GLOBAL ID：200903022929100270
半導体整流素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-211576
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066433
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 これまでの素子に比べて、大電流時においても高速度でターンオフし、かつ、オフ時のリーク電流が少ない半導体整流素子を提供する。【構成】 n型の半導体基体層1と、半導体基体層1の一方の面に接合されたn+型の半導体層2と、一方の面が半導体基体層1の他方の面と同一レベルにあり、他方の面が半導体基体層1の内部に達する少なくとも1つのp+型の半導体領域3と、半導体基体層1の他方の面の露出部にショットキー接合され、p+型の半導体領域3の一方の面にオーミック接合されるアノード電極4と、半導体層2にオーミック接合されるカソード電極5とからなり、p+型の半導体領域3とn型の半導体基体層1との間にpn接合を形成させる半導体整流素子において、p+型の半導体領域3のバンドギャップと、n型の半導体基体層1及びn+型の半導体層2のバンドギャップとがそれぞれ異なるような半導体材料で構成される。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基体層と、前記半導体基体層の一方の面に接合された第1導電型の高不純物濃度の半導体層と、一方の面が前記半導体基体層の他方の面と同一レベルにあり、他方の面が前記半導体基体層の内部に達する1つまたはそれ以上の第2導電型の高不純物濃度の半導体領域と、前記半導体基体層の他方の面の露出部にショットキー接触され、かつ、前記第2導電型の高不純物濃度の半導体領域の一方の面にオーミック接触される第1主電極と、前記第1導電型の高不純物濃度の半導体層にオーミック接触される第2主電極とからなり、前記第2導電型の高不純物濃度の半導体領域と前記半導体基体層との間にpn接合を形成させる半導体整流素子において、前記第2導電型の高不純物濃度の半導体領域と前記半導体基体層及び前記第1導電型の高不純物濃度の半導体層とが、それぞれ異なるバンドギャップを有する半導体材料で構成されていることを特徴とする半導体整流素子。
IPC (3件)：
H01L 29/872
, H01L 21/761
, H01L 29/861
H01L 29/48 F
, H01L 21/76 J
, H01L 29/48 G
, H01L 29/91 C
