特許

J-GLOBAL ID：200903022929301292

半導体装置

発明者： 和田 健司 ,  山本 浩史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-009670
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217433
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD法により結晶基板上に結晶質薄膜を形成する場合、腐食性の強いガスを用いるとエピタキシャル成長が実現できるが、不純物の混入や接合界面の損傷が発生する。一方、腐食性ガスを用いないと良好な結晶成長が起こらない。したがって、高性能な半導体装置が作製できなかった。【解決手段】プラズマCVD法により非晶質基板上に形成すると、1つの結晶面が優先的に非晶質基板表面に平行となるp型結晶質シリコン薄膜13を、n型単結晶シリコン基板11上に形成することで、pn接合が形成されている半導体装置。

請求項（抜粋）：

非晶質基板上に形成すると、1つの結晶面が優先的に該非晶質基板表面に平行となる結晶質薄膜が、該結晶質薄膜と同種の結晶基板上に形成されてなる半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 Y ,  H01L 31/04 W

Fターム (20件)：

5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA65 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051CA16 ,  5F051CA17 ,  5F051DA15 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051GA15