特許

J-GLOBAL ID：200903022929920200

バンプの形成方法

発明者： 馬場 俊二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-299002
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151439
出願日： 1992年11月10日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板の電極部に固着されるバンプを導電樹脂材によって形成するバンプの形成方法に関し、バンプ形成精度の向上および導電樹脂材の消費量の節減によるコストダウンを図ることを目的とする。【構成】 半導体基板の電極部に導電樹脂材によるバンプを形成するバンプの形成方法であって、前記電極部と同じサイズとなる所定の厚みの導電樹脂材を該電極部に付着させ、該導電樹脂材を紫外線の照射により硬化させることで前記バンプの形成を行うように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1) の電極部(2) に固着されるバンプ(5) を導電樹脂材によって形成するバンプの形成方法であって、前記電極部(2) と同じサイズとなる所定の厚みの導電樹脂材を該電極部(2) に付着させ、該導電樹脂材を紫外線(13)の照射により硬化させることで前記バンプ(5) の形成を行うことを特徴とするバンプの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H05K 1/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-267941
  
• 特開平4-184953
  
• 特開昭62-283644