特許

J-GLOBAL ID：200903022936010406

酸化物超電導体の製造方法及び酸化物超電導体

発明者： 和泉 輝郎 ,  姚 ▲折▼ ,  塩原 融
出願人/特許権者： 財団法人国際超電導産業技術研究センター
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206281
公開番号（公開出願番号）：特開2003-020225
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、液相エピタキシー法により得られる薄膜状であっても臨界温度の低下が見られず、高磁界域においても優れた臨界電流密度を有する酸化物超電導層を製造できる酸化物超電導体の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】 本発明は、希土類系酸化物超電導体の構成元素を主体としてなる融液に基材を浸漬させて引き出し、融液から引き出した基材上に希土類系酸化物超電導体の結晶を成長させて基材上に酸化物超電導層を生成させる酸化物超電導体の製造方法において、前記希土類系酸化物超電導体の構成元素に加えてCaを含有してなる融液を用いることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

希土類系酸化物超電導体の構成元素を主体としてなる融液に基材を浸漬させて引き出し、融液から引き出した基材上に希土類系酸化物超電導体の結晶を成長させて基材上に酸化物超電導層を生成させる酸化物超電導体の製造方法において、前記希土類系酸化物超電導体の構成元素に加えてCaを含有してなる融液を用いることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。

IPC (6件)：

C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24

FI (6件)：

C01G 1/00 S ,  C01G 3/00 ZAA ,  C30B 29/22 501 C ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/24 B

Fターム (34件)：

4G047JA03 ,  4G047JC02 ,  4G047KD09 ,  4G047KG01 ,  4G077AA03 ,  4G077BC53 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077EC01 ,  4G077EC08 ,  4G077ED04 ,  4G077FE03 ,  4G077QA26 ,  4G077QA71 ,  4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113AD39 ,  4M113BA01 ,  4M113BA04 ,  4M113BA15 ,  4M113BA21 ,  4M113CA34 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321BA01 ,  5G321BA03 ,  5G321BA05 ,  5G321BA07 ,  5G321CA18 ,  5G321CA21 ,  5G321CA27 ,  5G321CA28 ,  5G321DB28