表面処理装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小谷悦司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-381811
公開番号（公開出願番号）：特開2002-180256
出願日： 2000年12月15日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：

【要約】【課題】より膜質の向上を図り得る表面処理装置を提供する。【解決手段】原料ガスおよびキャリアガスが導入される処理容器1と、処理容器1内に回転するよう設けられた円筒状回転電極2とを有し、回転電極2の周囲にプラズマ放電を発生させ、回転電極2と近接させた基板4に表面処理を施す際に、基板4よりも電極回転方向の上流側の第1位置Aで、回転電極2との間でのプラズマ放電によってキャリアガスの励起によるラジカルを発生させるラジカル発生手段と、第1位置Aよりも電極回転方向の下流側であって基板4よりも電極回転方向の上流側の第2位置Bに原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを備え、第1位置Aで発生したラジカルと第2位置Bに供給された原料ガスが反応することにより基板4に表面処理が施される。

請求項（抜粋）：

原料ガスおよびキャリアガスが導入される処理容器と、該処理容器内に回転するよう設けられた円筒状回転電極とを有し、該回転電極の周囲にプラズマ放電を発生させ、該回転電極と近接させた処理対象用基材に表面処理を施す表面処理装置において、前記基材よりも電極回転方向の上流側の第1位置で、回転電極との間でのプラズマ放電によってキャリアガスの励起によるラジカルを発生させるラジカル発生手段と、前記第1位置よりも電極回転方向の下流側であって基材よりも電極回転方向の上流側の第2位置に原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを備え、上記第1位置で発生したラジカルと上記第2位置に供給された原料ガスが反応することにより前記基材に表面処理が施されることを特徴とする表面処理装置。

IPC (5件)：

C23C 16/509 , B01J 19/08 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 16/509 , B01J 19/08 H , H01L 21/205 , H05H 1/46 A , H01L 21/302 N

Fターム (43件)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075BC04 , 4G075BC10 , 4G075BD03 , 4G075BD05 , 4G075CA25 , 4G075CA47 , 4G075CA63 , 4G075DA02 , 4G075EA02 , 4G075EB01 , 4G075EC01 , 4G075EC21 , 4G075ED01 , 4K030AA02 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030BA29 , 4K030EA06 , 4K030EA12 , 4K030FA03 , 4K030JA18 , 4K030KA16 , 5F004AA13 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BC03 , 5F004BD04 , 5F004CA05 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045DA65 , 5F045DP04 , 5F045EE11 , 5F045EH04 , 5F045EH07 , 5F045EH12

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