特許
J-GLOBAL ID：200903022944087027
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-141788
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077470
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】高圧配線層下の半導体層中の耐圧を低下させることなく、異なる電位差を有する領域上を通過することが可能な高圧配線層を容易に形成することができる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】本発明による半導体装置は、N- 型半導体基板11に形成されたN+ 型第一拡散層12及びP+ 型第二拡散層13とからなるダイオ-ドと、該基板表面に形成された絶縁膜14と、第一拡散層15と接続し第二拡散層16上を通過する第一配線層15と、絶縁膜14中に多結晶シリコンからなり第一配線層15下を数度横切るように連続して形成されその両端が第一拡散層12及び第二拡散層13に接続された抵抗体17とからなる。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板と、該半導体基板に形成され少なくとも一方は反対導電型を有する二つの半導体領域と、上記半導体基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜中に設けられ上記二つの半導体領域に接続された半導体抵抗層と、上記絶縁膜上に形成され上記一方の半導体領域に接続されると共に、上記他方の半導体領域上を通過するように設けられた配線層とを備え、上記半導体抵抗層は上記配線層下を一回以上横切るように配置されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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