特許

J-GLOBAL ID：200903022947946560

半導体記憶装置

発明者： 中村 好秀
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-307105
公開番号（公開出願番号）：特開平9-147567
出願日： 1995年11月27日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 大容量化に伴う半導体記憶装置の外部端子数の増大およびこれに伴う諸問題を解決する。【解決手段】 上位アドレスをあらかじめ外部から取り込んで内蔵のラッチ回路に半固定的に保持させ、この保持させた上位アドレスとアクセスごとに外部から入力される下位アドレスとによって、記憶セルの指定をランダムに行なうための全アドレスを生成させる。【効果】 外部からは下位アドレスを与えるだけで所定のアドレス範囲をランダム・アクセスすることができるとともに、そのランダム・アクセスのアドレス範囲は、あらかじめ保持させる上位アドレスによって任意に設定することができる。

請求項（抜粋）：

上位アドレスをあらかじめ外部から取り込んで半固定的に保持する回路手段を内蔵し、この回路手段に保持させた上位アドレスとアクセスごとに外部から入力される下位アドレスとによって、記憶セルの指定をランダムに行なうための全アドレスを生成させることを特徴とする半導体記憶装置。