特許

J-GLOBAL ID：200903022953019808

半導体装置およびその作製方法

発明者： 大谷 久 ,  藤本 悦子
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-117430
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312808
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 各画素に大容量の補助容量を備えた開口率の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 絶縁表面を有する基板101上にタンタル膜でなる容量配線102を形成し、それを熱酸化することによって酸化タンタル膜103を形成する。そして、半導体薄膜でなる活性層104を形成し、活性層104の一部と容量配線102とで酸化タンタル膜103を挟んだ構造でなる補助容量を形成する。この活性層104はトップゲイト型TFTの活性層として機能する。

請求項（抜粋）：

マトリクス状に配置された複数の画素の各々にトップゲイト型TFT及び補助容量を有する構成を含む半導体装置において、前記補助容量は酸化タンタル膜をタンタル膜と半導体薄膜とで挟んだ構造からなり、前記半導体薄膜は前記トップゲイト型TFTの活性層の一部であると共に、前記タンタル膜は前記半導体薄膜よりも下方に存在することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 626 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-080225
  
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-205378   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社