レジストパターンのシミュレーション方法およびパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032331
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232057
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】光リソグラフィにより形成されるパターン形状を予測するシミュレーション方法およびシステム、さらにこの方法に基づく被露光基板およびマスクパターンの設計方法を提供する。【解決手段】被露光基板の構造を考慮して、レジスト膜内の平均感光剤濃度分布および形成されるパターン輪郭を数値計算により、被露光基板の層構造に依存する定在波効果による寸法変化を予測し、予測結果と所望の輪郭とを比較し、被露光基板の層構造およびマスクパターンを設計する。

請求項（抜粋）：

被露光基板上に形成されたレジスト薄膜上にパターン情報を有するエネルギ線を照射し、現像処理後に得られるレジストパターンの輪郭を予測するシミュレーション方法において、マスクパターン形状、エネルギ線の波長、レンズの開口数、照明条件、デフォーカスの条件を入力する工程と、前記レジスト薄膜を含む被露光基板の表面に照射されるエネルギ線の分布を計算する工程と、露光量、レジストの膜厚・屈折率・感光パラメータ、下地層の構造・膜厚・複素屈折率、反射防止膜の膜厚・複素屈折率、基板の複素屈折率の条件を入力する工程と、前記レジスト層内の感光剤濃度分布を計算し、前記感光剤濃度分布をレジスト層の深さ方向に平均して平均感光剤濃度分布を計算する工程と、入力パラメータに基づいて感光剤濃度の関数として現像速度を求める工程と、所定の現像速度に対応する感光剤濃度しきい値を求める工程と、上記感光剤濃度しきい値を前記平均感光剤濃度分布に適用して前記レジストの現像後のパターン輪郭を数値計算する工程と、計算により得られたパターン輪郭を表示する工程とからなることを特徴とするレジストパターンのシミュレーション方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 7/26 501 , G06F 17/50

FI (4件)：

H01L 21/30 569 Z , G03F 7/20 521 , G03F 7/26 501 , G06F 15/60 680 A

Fターム (19件)：

2H096AA25 , 2H096LA17 , 2H096LA19 , 2H096LA30 , 5B046AA07 , 5B046DA01 , 5B046GA01 , 5B046JA04 , 5F046CB05 , 5F046DA01 , 5F046DA02 , 5F046DA14 , 5F046DB05 , 5F046DB10 , 5F046DB14 , 5F046JA21 , 5F046JA22 , 5F046LA14 , 5F046LA18

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