特許
J-GLOBAL ID：200903022956197103
半導体イメージセンサー
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小松 祐治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-248946
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211320
出願日： 1984年02月20日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 縦型オーバーフロー構造の半導体イメージセンサーにおいて、電荷蓄積方法をフィールド蓄積とフレーム蓄積との間で切換えた場合にそれに応じて電荷蓄積領域の取扱い電荷量を最適値になるように切換えることができるようにする。【構成】 基板1と障壁となる半導体層2の間に印加する逆バイアス電圧Vsubを切換手段SWによりフィールド蓄積時とフレーム蓄積時とで切換える基板電圧発生回路10を設ける。
請求項（抜粋）：
基板が第1導電型の半導体からなり、光電変換された電荷を蓄積する第1導電型の電荷蓄積領域と前記第1導電型半導体基板との間に電荷蓄積領域から基板側へ向う電荷の流れに対して障壁となる第2導電型の半導体層が位置するようにされ、該第2導電型の半導体層と、前記第1導電型半導体基板との接合を逆バイアスする基板電圧を発生する基板電圧発生回路を有する縦形オーバーフロー構造の半導体イメージセンサーにおいて、前記逆バイアス電圧をフィールド蓄積時とフレーム蓄積時とで択一的に変化させて前記電荷蓄積領域のそれぞれの取扱い電荷量を相互に切換える切換手段を設けたことを特徴とする半導体イメージセンサー。
IPC (2件)：
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