特許
J-GLOBAL ID：200903022962505928
ハイブリッドIC用セラミック基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-158697
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327146
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 ガラス被覆されていない酸化チタン又は酸化アルミニウムからなるハイブリッドIC用セラミック基板及びその製造方法を提供すること。【構成】 「表面に3μm径以上のポアーが100個/mm2以下で、しかも、30μm径以上のポアーが皆無である酸化チタン基板又は酸化アルミニウム基板からなるハイブリッドIC用セラミック基板」であり、該基板は、高純度酸化チタン微粉末又は高純度酸化アルミニウム微粉末を大気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成し(前者は1100〜1300°C、後者は1200〜1400°C)、HIP処理し、さらに加熱処理して製造する。【効果】 表面に3μm径以上のポアーが極めて少なく、しかも、30μm径以上のポアーが皆無である基板であるから、該基板に形成する配線のファイン化及び配線の高密度化が可能となる。
請求項（抜粋）：
表面にガラスコーティング等の被覆処理が施されていない酸化チタン基板又は酸化アルミニウム基板からなり、該基板表面に存在する3μm径以上のポアーが1mm2当り100個以下であり、30μm径以上のポアーが存在しない上記酸化チタン基板又は酸化アルミニウム基板からなることを特徴とするハイブリッドIC用セラミック基板。
IPC (4件)：
H05K 1/03
, C04B 35/10
, C04B 35/46
, H01L 23/15
