特許
J-GLOBAL ID：200903022962847810
プラズマプロセス装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-102184
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275397
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 試料表面のレジストをダメージフリーで効果的に均一性良くアッシングする。【構成】 マイクロ波を伝送する導波管に連結された誘電体線路と対向して反応器1を設け、該反応器1内を複数の孔17が設けられた仕切壁13により区分してガス供給管3を連結したプラズマ生成室14と、アッシング対象の試料(ウェハ)Sを載置する試料台16を備える試料処理室15とを形成し、また前記仕切壁13は反応器1の周壁とは絶縁状態とする。
請求項（抜粋）：
マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に連結された誘電体線路と、該誘電体線路に対向して配置されるマイクロ波の導入窓を有する反応器とを具備してなり、前記反応器内部が誘電体線路に対向し複数の孔を有する仕切壁により、プラズマを生成するプラズマ生成室と試料を載置する試料台を備え試料を処理する試料処理室とに区切られたプラズマプロセス装置において、前記仕切壁が絶縁物で形成されていることを特徴とするプラズマプロセス装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
, H05H 1/46
