特許
J-GLOBAL ID:200903022963507380

半導体集積回路用ヒューズ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 和音
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-234166
公開番号(公開出願番号):特開平10-079434
出願日: 1996年09月04日
公開日(公表日): 1998年03月24日
要約:
【要約】【課題】基板にダメージを与えることなく1回のレーザ照射で確実に溶断される半導体集積回路用ヒューズ構造を提供する。【解決手段】基板と、基板上に設けられるヒューズメタル7及びその近傍に設けられるダミーヒューズメタル8により構成される。このヒューズ構造のヒューズメタル7とダミーメタル8は絶縁膜5で覆われ、ヒューズメタル7とダミーメタル8の中心付近で、絶縁膜5の側面は接するように構成される。レーザ光照射時、ヒューズメタル7とダミーヒューズメタル8間中心から互いに外向きの力が発生し、両ヒューズメタル7、8は互いに反対方向へ飛散する。
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上に設けられるヒューズメタルパターン及びその近傍に設けられるダミーメタルパターン、を具備することを特徴とする半導体集積回路用ヒューズ構造。

前のページに戻る