特許

J-GLOBAL ID：200903022963966384

ハイブリッド集積回路

発明者： 村田 和夫 ,  松村 豊 ,  川岸 享
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-132209
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342858
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】 差動信号を伝送する場合に生じる磁界を抑え、雑音放射特性の改善ができるハイブリッド集積回路を提供することを目的とする。【構成】 セラミック基板9上に、差動信号を伝送する信号伝送線路1、2がそれぞれ、入出力端子3、4と電子素子5、6との間に配線されている。信号伝送線路1の中間部分上に絶縁膜であるガラス膜8が形成され、この上に信号伝送線路2が形成されて、信号伝送線路1と信号伝送線路2が、ガラス膜8をはさんで交差するように配線されている。

請求項（抜粋）：

半導体チップを搭載した絶縁性基板上に、差動信号を伝送する少なくとも一対の信号伝送線路が形成されたハイブリッド集積回路において、前記対の信号伝送線路が少なくとも1回以上、絶縁手段を介して交差または重なり合っていることを特徴とするハイブリッド集積回路。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01P 1/00 ,  H01P 3/08 ,  H01P 5/08

FI (2件)：

H01L 23/12 H ,  H01L 23/12 Q