シヨツトキ-バリアダイオ-ド

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小沢信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-248085
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090566
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】電流量を低下させることなくブレ-クダウン電圧の耐圧の向上をはかるか,または,ブレ-クダウン電圧はそのままにして電流量を向上させたショットキ-バリアダイオ-ドを提供する。【構成】高濃度の不純物を含む一導電形の半導体基板上に同導電型の単結晶層が形成され,その単結晶層の厚さよりも浅い深さの所定領域を逆導電形の層で囲ってカ-ドリングが形成され,前記カ-ドリング内にショットキ-電極を形成してなるショットキ-バリアダイオ-ドにおいて,前記ガ-ドリングおよびショットキ-電極の深さを同一に形成する。

請求項（抜粋）：

高濃度の不純物を含む一導電形の半導体基板上に同導電型の単結晶層が形成され,その単結晶層の厚さよりも浅い深さの所定領域を逆導電形の層で囲ってカ-ドリングが形成され,前記カ-ドリング内にショットキ-電極を形成してなるショットキ-バリアダイオ-ドにおいて,前記ガ-ドリングおよびショットキ-電極の深さを同一に形成したことを特徴とするショットキ-バリアダイオ-ド。

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