特許

J-GLOBAL ID：200903022967248087

半導体装置及びその製造方法

発明者： 林田 茂樹 ,  柿本 誠三 ,  岩田 浩 ,  松岡 俊匡 ,  中野 雅行
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-257699
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339970
出願日： 1995年10月04日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【解決手段】 シリコン窒化膜を介して不純物イオンを注入し、シリコン窒化膜を除去した後、大気解放なしでチタン膜を形成し、シリサイド化反応を行う。【効果】 チタン-シリコン系シリサイド反応において極力酸素の影響を排除することが可能となり、0.2μm以下の微細配線においても低抵抗で耐熱性に優れたチタンシリサイド膜を形成できる。更に、p型半導体のシリサイド化と比較し、n型半導体のシリサイド化はシリサイド反応が阻害されシート抵抗値が高くなり、耐熱性に関しても悪くなるという現象も無くなり、p型及びn型半導体とも一様な膜厚のチタンシリサイド膜を形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

(a)シリコン半導体基板上にシリコン窒化膜を形成し、(b)シリコン半導体基板の所望の領域に不純物イオンを注入し、その際シリコン半導体基板の表面層に、不純物イオンの注入と共にシリコン窒化膜からの窒素原子とシリコン原子を混入することからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (6件)：

H01L 21/265 K ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/265 H ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 27/08 321 F