特許

J-GLOBAL ID：200903022983775380

半導体ウエファを加工処理する方法及び圧力噴射器

発明者： ユン-ビアオ・シン ,  吉村 一郎 ,  ヘンリー・エフ・アーク ,  ラルフ・ブイ・ボーゲルグサング ,  スティーブン・ダブリュー・ヘンシーク
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-608432
公開番号（公開出願番号）：特表2002-540629
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2002年11月26日
要約：

【要約】単結晶インゴットからスライスされる半導体ウエファを加工処理する方法は、ウエファの前面・背面に対しラッピング作業を受けさせ、ウエファの厚さを減少しウエファのスライス作業の間に生じた損傷を除去するステップを含む。それから、ウエファは、ウエファの厚さを更に減少しラッピング作業の後残余する損傷を更に除去するエッチング作業を、受けさせられる。続いて、ウエファは、ラッピング及びエッチング作業により生じた損傷を前面・背面から一様に除去し、よってウエファの平坦さを向上し前面・背面の研磨を維持する、両側面研磨作業を、受けさせられる。最後に、ウエファの背面は、前面が損傷されること若しくは粗化されることに対して実質的に保護される一方、ウエファの背面の中に損傷が誘発される、背面損傷作業を、受けさせられる。本発明の圧力噴射器は、ウエファの背面が噴射磨耗スラリーに晒され一方で前面が圧力噴射器の支持面の上方にて間隔を挟む位置関係となってホルダにより支持され、支持面とウエファの前面との間に損傷を生じる接触を抑制するような、圧力噴射器の中のウエファを支持するウエファホルダを含む。

請求項（抜粋）：

単結晶インゴットからスライスされ前面・背面を備える半導体ウエファを加工処理する方法において、(a)ウエファの前面・背面に対しラッピング作業を受けさせ、ウエファの厚さを減少しウエファのスライス作業の間に生じた損傷を除去するステップと、(b)ウエファが化学腐食液の中に浸漬されウエファの厚さを更に減少しラッピング作業の後残余する損傷を更に除去するエッチング作業を、ウエファに対して受けさせるステップと、(c)材料がウエファの前面・背面から同時に且つ一様に除去されラッピング及びエッチング作業により生じた損傷を一様に除去し、よってウエファの平坦さを向上し前面・背面の研磨さを維持する、両側面研磨作業を、 ウエファに対し受けさせるステップと、(d)前面が損傷されること若しくは粗化されることに対して実質的に保護する一方、ウエファの背面の中に損傷が誘発される、背面損傷作業を、 ウエファに対し受けさせるステップとを上記の順で含む、方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 601 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 621 ,  B24C 1/04 ,  B24C 11/00

FI (5件)：

H01L 21/304 601 Z ,  H01L 21/304 601 S ,  H01L 21/304 621 D ,  B24C 1/04 B ,  B24C 11/00 D