特許
J-GLOBAL ID：200903022983866602
ラテラルヘテロバイポーラトランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-184753
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029334
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ラテラルヘテロバイポーラトランジスタの製造方法に関し、ヘテロ組成の変化したヘテロベース層の形成とエミッタ層の形成とを連続して行うことのできる製造方法の提供を目的とする。【構成】 ベース及びエミッタ領域を選択的にくり抜き、混晶ベース8を選択成長で横方向に形成し、連続してシリコンのエミッタ及びエミッタ引出し9を形成する。
請求項（抜粋）：
(a)シリコン酸化膜(1)にシリコン(2)が島状に埋め込まれた構造の基板上に第一の絶縁膜(3)を堆積させ、(b)コレクタ引き出し部を形成すべき部分の上記第一の絶縁膜(3)を除去して下地のコレクタ領域のシリコン(2)を露出させ、このシリコン(2)と同伝導型のシリコンを堆積させてからパターニングを行ってコレクタ引出し(4)を形成し、(c)第二の絶縁膜(5)を堆積後、将来ベース及びエミッタ領域となる部分の上記第一及び第二の絶縁膜(3及び5)を除去してシリコンを露出させ、この部分にp型不純物をドーピングしてp+ シリコンの領域を形成し、(d)第三の絶縁膜(7)を堆積させ、次いでエミッタ引き出し用の開口をあけてから、上記のp+ シリコンを選択的に除去して、コレクタ領域となる部分のシリコン(2)の側壁を露出させ、(e)この露出されたシリコンの側壁面より、このシリコンとは逆伝導型の混晶を横方向に混晶比を変化させながら気相成長によって選択成長させてベース(8)を形成し、そして引き続き気相成長により、上記コレクタ領域のシリコンと同伝導型のシリコン(9)を堆積させてエミッタを形成し、続いて更にシリコン(9)を堆積させ、パターニングを行ってエミッタ引き出しを形成し、(f)第四の絶縁膜(10)を堆積させ、コレクタ-ベース接合部のコレクタ側の一部の領域の絶縁膜を除去して下地のシリコンを露出させ、この領域のシリコンにベースと同伝導型の不純物をドーピングしてベース引出し部(11)を形成する工程を含むことを特徴とする、ラテラルヘテロバイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/165
