特許
J-GLOBAL ID:200903022986096794

半導体素子とそれを用いた半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-151364
公開番号(公開出願番号):特開平11-345834
出願日: 1998年06月01日
公開日(公表日): 1999年12月14日
要約:
【要約】【課題】 特にフリップチップ実装技術に用いる半導体装置の製造方法に関し、封止樹脂注入時のボイドの発生を防止し、かつ回路基板のサイズを半導体素子のサイズに近づけることが可能な半導体素子とその半導体素子を用いた半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】 裏面側端部に傾斜面を有する半導体素子を回路基板に実装し、半導体素子の傾斜面を介して封止樹脂を注入する。
請求項(抜粋):
フェースダウンで実装される半導体素子であって、前記半導体素子の裏面の少なくとも一辺の端部に傾斜面が形成されていることを特徴とする半導体素子。
IPC (3件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12
FI (3件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/12 L

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