多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-329125
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165401
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】誘電特性、密着性、塗膜の均一性、機械強度に優れ、吸湿性を低減化した多孔質膜を形成しうる膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、及びこの多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】界面活性剤と、界面活性剤の存在下で下記一般式(1)で表される一以上のアルコキシシランと一般式(2)で表される一以上のアルコキシシランとを加水分解縮合して得られる重合体を含む溶液とを含んでなる多孔質膜形成用組成物を用いる。(R1)mSi(OR2)4-m (1)R3Si(R4)n(OR5)3-n (2)また、多孔質膜形成用組成物を塗布する塗布工程と多孔質化工程とを含む多孔質膜の製造方法等を用いる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

界面活性剤と、該界面活性剤の存在下で下記一般式(1)で表されるアルコキシシランの一以上と一般式(2)で表されるアルコキシシランの一以上を加水分解縮合して得られる重合体を含む溶液とを含んでなる多孔質膜形成用組成物。 (R1)mSi(OR2)4-m (1) R3Si(R4)n(OR5)3-n (2) (上式中、R1は置換又は非置換の1価炭化水素基であり、R1が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、R2は炭素数1〜4のアルキル基であり、R2が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、R3は炭素数8〜30の直鎖又は分岐状アルキル基、R4は置換又は非置換の1価炭化水素基であり、R4が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、R5は炭素数1〜4のアルキル基であり、R5が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、mは0〜3の整数、nは0〜2の整数である。)

IPC (7件)：

H01L21/312 , C01B33/12 , C01B37/02 , C09D5/25 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L21/768

FI (7件)：

H01L21/312 C , C01B33/12 C , C01B37/02 , C09D5/25 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L21/90 S

Fターム (64件)：

4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072BB15 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH30 , 4G072JJ42 , 4G072JJ47 , 4G072KK01 , 4G072KK03 , 4G072LL11 , 4G072LL15 , 4G072MM36 , 4G072NN21 , 4G073BB02 , 4G073BB18 , 4G073BB22 , 4G073BB48 , 4G073BB52 , 4G073BB58 , 4G073BB69 , 4G073BC02 , 4G073BD11 , 4G073BD18 , 4G073CZ53 , 4G073FA18 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038GA15 , 4J038JA14 , 4J038JB01 , 4J038JB08 , 4J038JB11 , 4J038JB16 , 4J038JB36 , 4J038JC02 , 4J038JC12 , 4J038JC14 , 4J038JC17 , 4J038JC18 , 4J038KA04 , 4J038KA09 , 4J038MA04 , 4J038MA09 , 4J038NA07 , 4J038NA11 , 4J038NA12 , 4J038NA21 , 4J038NA24 , 4J038PA18 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 5F033QQ74 , 5F033RR23 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS22 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033XX24 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

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