特許

J-GLOBAL ID：200903022994277250

研磨状態検出装置

発明者： 宇野 徹也 ,  滝政 宏章
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 由充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-056312
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261059
出願日： 2001年03月01日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 研磨工程下において研磨状態を精度良く検出する。【解決手段】 センサヘッド1は、投光部2および受光部3とそれぞれ光ファイバ11,12を介して連結され、研磨中のウエハの表面30に光を照射しつつ、ウエハからの反射光を取り込む。受光用ファイバ12の入口には、金属管14を介して拡散板15が配備されており、ウエハからの反射光は、この拡散板15により均一化されてから受光用ファイバ12を通過し、受光部3に到達する。受光部3には、長さ方向Lに沿って光の透過率が変動する分光フィルタ18と、この分光フィルタ18を透過した光を所定波長単位毎に切り分けて受光するためのラインCCD19とが配備されており、コントローラ内において、ラインCCD19により生成された反射光の分光波形を規準のデータと比較することにより、研磨の進行状態の適否や研磨を終了する時刻が判別される。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ上の膜を研磨する工程下において研磨状態を検出するための装置であって、研磨中のウエハの表面に光を照射する投光手段と、前記ウエハからの反射光または透過光を複数の波長成分に分光して抽出する受光手段と、前記受光手段により抽出された分光波形を用いて前記ウエハの研磨状態を判別する判別手段とを具備し、前記受光手段の前方には、前記ウエハからの光を拡散させて受光手段に導くための拡散手段が配備されて成る研磨状態検出装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/04 ,  B24B 49/04 ,  B24B 49/12 ,  G01B 11/30 101

FI (5件)：

H01L 21/304 622 S ,  B24B 37/04 K ,  B24B 49/04 Z ,  B24B 49/12 ,  G01B 11/30 101 A

Fターム (31件)：

2F065AA47 ,  2F065CC19 ,  2F065DD03 ,  2F065FF42 ,  2F065GG07 ,  2F065GG23 ,  2F065HH03 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ09 ,  2F065JJ25 ,  2F065LL02 ,  2F065LL08 ,  2F065LL20 ,  2F065LL22 ,  2F065LL49 ,  2F065NN01 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ24 ,  2F065UU01 ,  2F065UU02 ,  2F065UU07 ,  3C034AA13 ,  3C034BB93 ,  3C034CA05 ,  3C034DD10 ,  3C034DD20 ,  3C058AA07 ,  3C058BA01 ,  3C058BA07 ,  3C058CA01 ,  3C058DA12