特許
J-GLOBAL ID：200903022998358263
マイクロ波誘導プラズマ用プラズマトーチ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-506325
公開番号（公開出願番号）：特表2005-526258
出願日： 2003年05月21日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】ICPトーチと比べてマイクロ波誘導プラズマに対する耐久性の向上した、プラズマ分光化学分析用トーチを提供する。 【解決手段】マイクロ波誘導プラズマを用いた、サンプル分光化学分析用のプラズマトーチ10は、トーチ10の外管12と中間管14との間を流れる主プラズマガスフロー用流入口18内のノズル30を含む。ノズル30は、管12,14の間の環状ギャップ22からのガスフローにより形成されるプラズマ用シースガス層におけるガスフロー速度を上昇させる。シースガス層におけるガス速度の上昇によりシースガス層が「硬くなる」ことで、マイクロ波誘導プラズマの閉じ込めが強化される(ICPトーチは、これほどの強い閉じ込めは必要としない)。こうして該トーチは、ICPトーチよりもマイクロ波誘導プラズマに対する耐久性が向上する。サンプル注入管(内管)16は、その端部34に内径を細くした流出口を有する。
請求項（抜粋）：
プラズマ分光分析用のトーチであって、
外管、中間管および内管であって、前記内管が、分析用サンプルを運ぶ第1ガスフローを当該トーチ内に発生したプラズマの中に注入するために、前記中間管内に実質的に同軸状に配置されている外管、中間管および内管と、
前記中間管内に導かれ、第2ガスフローを前記内管と前記中間管との間の空間内に進入させて、当該トーチ内に発生したプラズマの軸方向位置を制御する中間ガス流入口と、
前記外管内に導かれ、第3ガスフローを前記外管と前記中間管との間に供給し、当該トーチ内に発生したプラズマのためのシースガス層を供給する外側ガス流入口とを含み、
供給された第3ガスが当該トーチに沿って移動してシースガス層を供給する際に、当該第3ガスに渦流を与えるように、前記外側ガス流入口が、当該トーチの中心軸からずれて配置されており、
前記外側ガス流入口に関連付けられた手段であって、この手段の上流側のガス速度よりもシースガスにおけるガス速度を上昇させることにより、プラズマに対するシースガス層の閉じ込める力を増強する手段をさらに含むトーチ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
2G043AA01
, 2G043EA08
, 2G043GA07
, 2G043GA11
, 2G043GB01
