微小真空素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-105084
公開番号（公開出願番号）：特開平7-021902
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】微小真空素子のカソードのテーパエッジ形状を再現性良くしかも均一に形成する。またこの構造を用いた新しい発光素子を提供する。【構成】出発基板としてSOI基板を用い、基板上の(100)シリコン単結晶層1をヒドラジン等の異方性エッチング液でエッチングして酸化膜2まで達する(111)面を持つテーパエッジ形状の孔を形成し、この孔の中の絶縁膜をエッチングして空隙9を形成する。このエッチングは極めて再現性が良くしかも均一にできる。その後再度シリコン1をエッチングしてカソード6、ゲート7として分離し基板3をアノード8とし、微小真空素子とする。空隙9に蛍光体を推積すると発光素子になる。透過率の異なる反射鏡を発光領域を挟むように配置して共振器を構成すればレーザ発振が可能となる。

請求項（抜粋）：