特許
J-GLOBAL ID:200903023000443161

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-345536
公開番号(公開出願番号):特開2007-150168
出願日: 2005年11月30日
公開日(公表日): 2007年06月14日
要約:
【課題】テープまたはフィルム基板を有する半導体装置の放熱性の向上を図る。【解決手段】基材5c上に形成された導電性の銅配線5dと、銅配線5d上に形成されたソルダレジスト膜5eと、ソルダレジスト膜5e上に形成された金属箔3とを含むテープ基板5と、銅配線5d上にAuバンプ6を介して電気的に接続された半導体チップ2とを有したTCP1である。ソルダレジスト膜5eの厚さが基材5cより薄いことにより、半導体チップ2から発せられる熱を銅配線5d及びソルダレジスト膜5eを介して金属箔3に伝えることができ、金属箔3から外部に放熱することができる。その結果、TCP(半導体装置)1の放熱性の向上を図る。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1絶縁層上に形成された導電性の第1パターンと、前記第1パターン上に形成された第2絶縁層と、前記第2絶縁層上に形成された第2パターンとを含む基板と、 前記第1パターン上にバンプ電極を介して電気的に接続された半導体チップとを有し、 前記第2絶縁層の厚さは、前記第1絶縁層より薄いことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L 21/60
FI (1件):
H01L21/60 311W
Fターム (5件):
5F044MM04 ,  5F044MM06 ,  5F044MM48 ,  5F044NN02 ,  5F044RR10
引用特許:
出願人引用 (1件)

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