半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-232972
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072039
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】半導体基板に注入する不純物の濃度を調整することなく電気特性が制御された半導体装置、およびその半導体装置の製造方法であって製造工程が複雑化することがない半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、主表面1aを有するシリコン基板1と、シリコン基板1の主表面1a上にゲート絶縁膜2を介在させて形成されるゲート電極3と、ゲート電極3の両側に位置するシリコン基板1の主表面1aに形成される不純物領域5aと、ゲート電極3の側壁3aに接触するように形成されるスペーサ6と、スペーサ6に接触して、シリコン基板1の主表面1a上に設けられるサブスペーサ7と、サブスペーサ7の両側に位置するシリコン基板1の主表面1aに形成されるシリサイド領域11とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記主表面上にゲート絶縁膜を介在させて形成されるゲート電極と、前記ゲート電極の両側に位置する前記半導体基板の前記主表面に形成される不純物領域と、前記ゲート電極の側壁に接触するように形成される第1の側壁絶縁膜と、前記第1の側壁絶縁膜に接触して、前記ゲート電極からの距離が前記ゲート電極から前記第1の側壁絶縁膜までの距離よりも大きい位置で、前記半導体基板の前記主表面上に設けられる第2の側壁絶縁膜と、前記第2の側壁絶縁膜の両側に位置する前記半導体基板の前記主表面に形成されるシリサイド領域とを備える、半導体装置。

IPC (9件)：

H01L21/8234 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L29/78

FI (6件)：

H01L27/08 102D , H01L21/28 301S , H01L29/78 301P , H01L27/10 671Z , H01L27/10 681F , H01L27/04 R

Fターム (80件)：

4M104BB20 , 4M104BB25 , 4M104DD02 , 4M104DD04 , 4M104DD84 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 5F038AR02 , 5F038AR13 , 5F038AR17 , 5F038EZ20 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BC06 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA30 , 5F083AD10 , 5F083GA27 , 5F083JA35 , 5F083JA53 , 5F083NA01 , 5F083PR06 , 5F083PR09 , 5F083PR34 , 5F083PR36 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083PR57 , 5F083ZA06 , 5F083ZA12 , 5F140AA01 , 5F140AA06 , 5F140AA24 , 5F140AA40 , 5F140AB01 , 5F140AB10 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BE07 , 5F140BF03 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG34 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BG56 , 5F140BG58 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB01 , 5F140CC03 , 5F140CE01 , 5F140CE20 , 5F140CF04

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