特許
J-GLOBAL ID：200903023005601202
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296512
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147462
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】半導体レーザを冷却する機構を有する半導体レーザ装置において、ペルチェ素子の高温面の熱が低温面に伝わるのを防ぐ。【構成】ペルチェ素子2の高温面に接するパッケージ領域と、ペルチェ素子2の低温面と熱的につながっているパッケージ領域との間に断熱層9を備えることによりペルチェ素子の高温面の熱がペルチェ素子2の低温面に伝わるのを防ぐ。
請求項（抜粋）：
ペルチェ素子により温調される光学系固定基板上に保持された半導体レーザを有し、全体がパッケージ内に装着されている半導体レーザ装置において、ペルチェ素子の高温面に接するパッケージの領域とペルチェ素子の低温面と熱的につながるパッケージの領域の間に断熱層を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
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