特許

J-GLOBAL ID：200903023007900827

半導体基板

発明者： 杉山 光弘 ,  田代 勉
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 熊谷 雄太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-167555
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013593
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 基板貼り合わせ法にるSOI基板において、熱膨張率の異なる絶縁膜を多層に組合わせることで、基板の反りを低減させる。【構成】 シリコン基板7を熱酸化することで、シリコン酸化膜2を形成した後に、CVD法によりシリコン窒化膜6を堆積させる。次にこの2層絶縁膜の付いたシリコン基板7と、支持基板1を貼り付け面4で貼り合わせる。この後シリコン基板7を研磨して、所望の厚さの素子形成層3を残して完成する。シリコン酸化膜2は圧縮応力が働くために、これ一層では基板が凸型に反ってしまうが、シリコン窒化膜6は引張り応力が働くために、この2層を組合わせることで、基板の反りを低減させることが可能となる。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基体上に絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に単結晶シリコン層を有する半導体基板において、前記絶縁膜が熱膨張率の異なる複数の絶縁層からなることを特徴とする半導体基板。

IPC (6件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭54-051388
  
• 特開平3-132055
  
• 特開平2-219252
  
• 特開平4-365377