特許

J-GLOBAL ID：200903023009659760

コンデンサ構造を有する半導体装置及びその製造方法

発明者： シー、ウェイ、リン
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-505045
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526904
出願日： 2000年06月20日
公開日（公表日）： 2003年09月09日
要約：

【要約】【課題】 コンデンサ構造を有する半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 ある半導体製造工程を使って相互結合レベルもしくはそれに近いレベルのような狭い面積にコンデンサを形成する。実施形態の一つによれば第1の導体及び第2の導体を有する基板が誘電体で分離されており、誘電体を除去するとトレンチが形成される。窒化珪素を含む第1の材料が基板上に蒸着されトレンチを被覆する。次に金属を含む第2の材料を第1の材料上に蒸着し第1の導体及び第2の導体を被覆する。次にCMPを使用して領域上の金属を除去し充填した金属を隣接金属から絶縁し、窒化珪素を通常のCMPエッチングストッパーとして作用させ、他の相互結合領域におけるCMPによる損傷を防止する。

請求項（抜粋）：

第1の導体及び第2の導体を持つ基板を含むコンデンサ構造を有する半導体装置の製造方法において、 第1の導体及び第2の導体を分離する暫定的材料を除去して両者間にトレンチを形成し、 誘電率が少なくとも約7.5を有する第1の材料がトレンチとそれに隣接した第1及び第2の導体を被覆するように基板上に第1の材料を蒸着し、 トレンチ上の第1の材料並びにトレンチに隣接する第1及び第2の導体を被覆するように金属を含む第2の材料を第1の材料上に蒸着し、 第2の材料を除去し、 第2の材料を除去している間に第1の材料を検知し、検知に応じて第2の材料の除去工程を停止する、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04

Fターム (5件)：

5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20