特許

J-GLOBAL ID：200903023015498329

多光子励起型偏極電子線発生装置

発明者： 中西 彊 ,  堀中 博道
出願人/特許権者： 財団法人名古屋産業科学研究所
代理人 (1件)： 小玉 秀男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-043424
公開番号（公開出願番号）：特開2002-245959
出願日： 2001年02月20日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 陰極から偏極電子線を放出させるにあたって、化合物半導体の表面に負の電子親和性を必要としない技術を実現する。【解決手段】 化合物半導体で構成される陰極と、その陰極を照射するレーザ光源を持ち、そのレーザ光の波長が前記化合物半導体の禁止帯のエネルギー幅の0.5倍以上で1.0倍未満に設定されている。この装置によると、2光子で電子が励起されるために重い正孔と軽い正孔のエネルギーバンドの縮退を解かないでも大きな偏極度が得られ、電子を伝導帯内の高いエネルギーレベルにまで励起できるために化合物半導体の外部に電子を放出させるために負の電子親和性を得る必要がない。通常の化合物半導体を用いて長期間に亘って安定的に偏極電子線を発生する装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体で構成される陰極と、その陰極を照射するレーザ光源を持ち、そのレーザ光の波長が化合物半導体の禁止帯のエネルギー幅の0.5倍以上で1.0倍未満に設定されていることを特徴とする2光子励起型偏極電子線発生装置。

IPC (3件)：

H01J 37/075 ,  H01J 1/34 ,  H01S 3/00

FI (3件)：

H01J 37/075 ,  H01J 1/34 C ,  H01S 3/00 Z

Fターム (7件)：

5C035CC07 ,  5C235CC07 ,  5F072AB02 ,  5F072JJ05 ,  5F072RR01 ,  5F072SS06 ,  5F072YY20