特許

J-GLOBAL ID：200903023016138288

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-322035
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189462
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 生産性の良い薄膜トランジスタの作製方法を提供する。【解決手段】 薄膜トランジスタにおいて、下地膜、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜を酸化珪素膜で形成する。その際にTEOSと酸素を用いたCVD法により、酸化珪素膜を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上にアモルファス半導体膜を形成し、前記アモルファス半導体膜をパターニングし、チャネル形成領域を設ける島状アモルファス半導体膜を形成し、前記チャネル形成領域上に酸素またはオゾンとTEOSとの混合ガスを用いてCVD法によりゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/24

FI (7件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/316 X ,  C23C 16/24 ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-080914
  
• 特開平4-080914