特許
J-GLOBAL ID：200903023028015998
半導体レーザの高周波重畳方式
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-223518
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048184
出願日： 1991年08月08日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】記録媒体の材質のバラツキ等に関係無く、C/N比の良好な半導体レ-ザの高周波重畳方式を提供することを目的とする。【構成】磁気媒体の読み出した際のキャリアレベルとノイズレベルの差分値に基づいて最適な重畳レベルを算出する重畳レベル制御回路30を具備し、該重畳レベル制御回路30において算出された逆バイアス電圧Vbに基づいてバリキャップCD1,CD2の容量Cを変更することによって高周波重畳の重畳レベルを変化させ、半導体レ-ザ10に対して高周波重畳をかける。
請求項（抜粋）：
直流電流駆動により単一縦モ-ドで発振する半導体レ-ザ素子と、前記半導体レ-ザ素子を直流電流により駆動する駆動回路と、前記半導体レ-ザ素子を多重縦モ-ドで発振させる高周波発振回路を有し、前記半導体レ-ザ素子の駆動直流電流に前記高周波発振回路からの高周波電流を重畳させる半導体レ-ザの高周波重畳方式において、前記高周波発振回路の電流を最適化する重畳レベル最適化回路を具備し、前記高周波発振回路からの高周波電流は、前記重畳レベル最適化回路において算出された重畳レベル最適値に基づいてその電流値の振幅を可変とすることを特徴とする半導体レ-ザの高周波重畳方式。
IPC (2件)：
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