特許

J-GLOBAL ID：200903023030934488

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 加藤 照男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-140579
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326396
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】 貼り合わせSOIウェハに関するゲッタリング法を提供する。【解決手段】 半導体支持基板2上にBOX3、BOX3上に表面シリコン層4を有し、表面シリコン層4に半導体集積回路素子が形成された半導体集積回路装置1において、半導体支持基板2の全体にゲッタリング領域として酸素析出物5を形成し、表面シリコン層4に存在する重金属原子等の不純物を、BOX3を介して酸素析出物5にトラップすることにより表面シリコン層4の不純物濃度を低下させる。また、ゲッタリング領域としては、半導体支持基板2の裏面に形成した多結晶シリコン膜、シリコン窒化膜あるいは機械的損傷層とすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体支持基板と、前記半導体支持基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた半導体薄膜層とを有する半導体集積回路用基板の前記半導体薄膜層に半導体集積回路素子が形成された半導体集積回路装置であって、前記半導体支持基板にゲッタリング領域を設けたことを特徴とする半導体集積回装置。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/322 G ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 27/12 B