特許

J-GLOBAL ID：200903023032499380

機能性薄膜を用いた電子デバイス

発明者： 田畑 仁 ,  村田 修 ,  藤岡 順三 ,  南方 俊一 ,  川合 知二 ,  河合 七雄
出願人/特許権者： 川崎重工業株式会社
代理人 (1件)： 西森 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-361439
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198849
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 機能性薄膜を用いた電子デバイスにおいて、機能性材料成膜時のエピキシャル成長の容易化、熱応力によるクラックの発生等を防止する。【構成】 電極材料として酸化物超電導体又は酸化物半導体を用い、これにより機能性薄膜と結晶構造を同じにし、また格子定数、熱膨張率を近接させる。またこの電極材料によれば、高電気伝導、低熱伝導という特性、及び熱吸収率が大という特性も得られる。

請求項（抜粋）：

PbTiO3等の酸化物系の機能性薄膜に接触する電極を、酸化物超電導体あるいは酸化物半導体で形成したことを特徴とする機能性薄膜を用いた電子デバイス。

IPC (2件)：

H01L 37/02 ZAA ,  H01L 39/02 ZAA

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-224188
  
• 特開平1-198726
  
• 特開平2-130969
  
• 特開平1-143258