特許
J-GLOBAL ID：200903023038130027
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118711
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316566
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 単一縦モード、低いビーム放射角、良好な導波モードを実現する半導体レーザ素子を提供する。【構成】 n-GaAsから成る基板1の上に順次、n-AlGaAsから成るクラッド層2、n-GaAsから成る光導波層3、n-AlGaAsから成るキャリアブロック層4、InGaAs/GaAsから成る量子井戸活性層5、p-AlGaAsから成るキャリアブロック層6、p-GaAsから成る光導波層7、p-AlGaAsから成るクラッド層8、p-GaAsから成るコンタクト層9がそれぞれ形成されている。光導波層7の上面には、周期が約0.28μm、深さが約0.1μmの回折格子12が形成される。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1クラッド層と、第1クラッド層の上に形成された第1光導波層と、第1光導波層の上に形成された活性層と、活性層の上に形成された第2光導波層と、第2光導波層の上に形成された第2クラッド層と、前記活性層の両側に近接して、活性層ならびに第1および第2光導波層の禁制帯幅より大きい禁制帯幅を有するキャリアブロック層とを具備し、第1光導波層と第1クラッド層との境界面または第2光導波層と第2クラッド層との境界面に、縦モードを制御するための周期構造が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
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