特許

J-GLOBAL ID：200903023039227580

半導体集積回路およびその製造方法

発明者： 古川 秀利 ,  福井 武司 ,  田中 毅 ,  上田 大助
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-317388
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163434
出願日： 1996年11月28日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 複数の電気素子を集積した半導体集積回路において、各々の電気素子の電気的な相互干渉を防止できる半導体集積回路およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体集積回路において半導体基板上の異なる領域に、化合物半導体からなるバッファ層をそれぞれ配し、1つのバッファ層上に1つの電気素子が形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の異なる領域に化合物半導体からなるバッファ層がそれぞれ形成され、1つのバッファ層上に1つの電気素子が形成されていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/095 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232

FI (2件)：

H01L 29/80 E ,  H01L 27/06 F