特許
J-GLOBAL ID：200903023046014222

マスクの製造方法、マスク、電気光学装置および電子機器

発明者：
桑原 貴之

桑原 貴之 について

, 
牧垣 奉宏

牧垣 奉宏 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-111083
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294206
出願日： 2004年04月05日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 寸法精度よくマスクを形成することが可能であり、また寸法精度よくパターンを描画することが可能なマスクの製造方法を提供する。【解決手段】 面方位(1,0,0)のSOI基板12における単結晶シリコン基板20をエッチングしてパターン描画部を開口させ、SOI基板12の単結晶シリコン層40をエッチングしてパターン開口部42を形成する工程と、単結晶シリコン基板20のエッチングにより露出した酸化シリコン層30を除去する工程と、を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
パターン描画部における厚さが他の部分より薄い、パターン描画用のマスクを製造する方法であって、 第1マスク材料基板の表面に、前記第1マスク材料のエッチング停止層を形成し、前記エッチング停止層の表面に、前記パターン描画部と同等の厚さの第2マスク材料層を形成する工程と、 前記第1マスク材料基板をエッチングして前記パターン描画部を開口させ、前記第2マスク材料層をエッチングしてパターン開口部を形成する工程と、 少なくとも前記パターン開口部に配置された前記エッチング停止層を除去する工程と、 を有することを特徴とするマスクの製造方法。
IPC (3件)：
H05B33/10 ,  C23C14/04 ,  H05B33/14
FI (3件)：
H05B33/10 ,  C23C14/04 A ,  H05B33/14 A
Fターム (13件)：
3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029AA09 ,  4K029BA62 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029CA01 ,  4K029DB06 ,  4K029HA02 ,  4K029HA03
引用特許：
出願人引用 (2件)

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