特許

J-GLOBAL ID：200903023047458140

半導体レーザ製造方法

発明者： 開本 亮
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 武石 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-110502
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304335
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザにおいて高エネルギー注入によるポンピング電流の電流狭搾層の形成を容易にかつ高精度に製造する方法を提供することにある。【構成】 量子井戸構造を有する半導体基板に高エネルギーイオンを注入し、レーザ活性層3の近傍に高抵抗層11を作成する場合に、電極金属9が高抵抗層11の形成領域選択マスクとして共用することにより、高抵抗層11の作成工程を簡略化でき、また高精度に行える。

請求項（抜粋）：

レーザ光の発生が可能な量子井戸構造を有する半導体基板に対し、レーザ光の効率的発生のため、ポンピング電流を狭搾する高抵抗層を、イオン注入法によってレーザ活性層近傍に形成する半導体レーザ素子において、ポンピング電流を該基板に導入するために、基板表面に配設された金属電極を、該イオン注入法による高抵抗層形成の注入領域選択マスクとして共用することを特徴とした半導体レーザ製造方法。