特許

J-GLOBAL ID：200903023052964968

半導体装置

発明者： 田爪 久生
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  株式会社九州富士通エレクトロニクス
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250226
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077300
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置に関し,チップ周縁部又は回路部に生じる微細な割れを感度よく検出する機能を備えた半導体装置の提供を目的とする。【構成】 チップ1周縁部に素子形成領域2を囲んでループ状に形成された不純物拡散領域5と,素子形成領域2端部に形成されたパッド3aとを有し, 不純物拡散領域5とパッド3aは電気的に接続されている半導体装置により構成する。また,チップ1周縁部に素子形成領域2を囲んでループ状に形成されたトレンチの側壁に不純物拡散領域を有する半導体装置により構成する。また,不純物拡散領域5は基板7と反対導電型であり,不純物拡散領域5に接続するパッド3aと, 基板7に接続するパッド3bとを有する前記の半導体装置により構成する。また,チップ1の素子形成領域2に形成された基板7と反対導電型の不純物拡散領域と,不純物拡散領域に接続するパッドと, 基板7に接続するパッドとを有する半導体装置により構成する。

請求項（抜粋）：

チップ(1) 周縁部に素子形成領域(2)を囲んでループ状に形成された不純物拡散領域(5) と,該素子形成領域(2)端部に形成されたパッド(3a)とを有し, 該不純物拡散領域(5) と該パッド(3a)は電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。