特許

J-GLOBAL ID：200903023053537826

磁界センサ

発明者： 小林 伸聖 ,  矢野 健 ,  白川 究 ,  大沼 繁弘 ,  増本 健
出願人/特許権者： 財団法人電気磁気材料研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-316084
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078187
出願日： 2001年09月05日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】構造が簡単で,高い磁界検出感度を有し,印加された磁界の方向および強度の絶対値が検出可能な磁界センサを提供すること.【解決手段】本発明では,所定の空隙長を持つ空隙によって2分割され,所定の膜厚および空隙に接する所定の幅を持つ軟磁性薄膜,その空隙を埋めるように形成された巨大磁気抵抗薄膜からなる磁界センサに,所定のバイアス磁界を印加することによって,磁界の大きさ及び極性を同時に検出すると共に,磁界感度を高めることが出来る.

請求項（抜粋）：

所定の空隙長を有する空隙によって2分割され,且つ当該空隙の両側に接した所定の厚さ及び幅を有する軟磁性薄膜と,当該空隙を埋めるように形成された巨大磁気抵抗薄膜とからなる磁界センサ素子,及び磁界発生源とからなり,当該磁界発生源から生じた磁界を,バイアス磁界として当該磁界センサ素子に印加することにより,外部磁界の大きさ及び極性を同時に検出することを特徴とする磁界センサ.

IPC (2件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 B ,  G01R 33/06 R

Fターム (7件)：

2G017AA01 ,  2G017AA02 ,  2G017AA03 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD65

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-111301   出願人：財団法人電気磁気材料研究所
• 磁気インピーダンス素子および磁気検出回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-216212   出願人：ミツミ電機株式会社, 毛利佳年雄
• 薄膜磁界センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-279308   出願人：財団法人電気磁気材料研究所