特許

J-GLOBAL ID：200903023055522796

半導体装置の製造方法

発明者： 木村 親夫
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-293632
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115841
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 浅いPN接合を有し、N型層及びP型層の厚さを任意に変えることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも2枚以上の単結晶基板の主表面を一定間隙をもって平行に対置させ、この間隙に両性不純物を含むエピタキシャル成長用溶液を充填し、反転温度より高い温度から成長を開始し、PN接合を有するエピタキシャル成長層を形成し、成長温度以下の温度で単結晶基板と成長用溶液を分離する。

請求項（抜粋）：

単結晶基板の主表面に、エピタキシャル成長層を形成する半導体装置の製造方法において、少なくとも2枚の単結晶基板の主表面を一定間隙をもって略平行に対置させ、該間隙に両性不純物を含むエピタキシャル成長用溶液を充填し、反転温度より高い温度から成長を開始し、前記単結晶基板主表面上にPN接合を有するエピタキシャル成長層を形成する工程と、前記単結晶基板と前記成長用溶液とを前記エピタキシャル成長層の成長温度以下で分離する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/208 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/208 D ,  H01L 33/00 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-160092
  
• 特開昭57-103373
  
• 特開平2-251179