特許

J-GLOBAL ID：200903023064041091

光記録保護膜用スパッタリング・ターゲットおよびその製造方法

発明者： 行方 清隆 ,  西野 勇 ,  小林 克巳千 ,  横川 俊雄 ,  緒方 敏代 ,  船木 多香子
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-241148
公開番号（公開出願番号）：特開平6-065725
出願日： 1992年08月18日
公開日（公表日）： 1994年03月08日
要約：

【要約】【目的】 高速度で安定な成膜が得られる光記録保護膜用の新規なスパッタリング・ターゲット材およびそれを工業的に安価に製造する方法の提供。【構成】 それぞれ純度99.999%以上で粒径が5 μm以下のZnS粉末とSiO2 粉末をSiO2 がZnSに対して20mol %の割合となるように配合し、加圧後焼成して相対密度90%以上の固結体とする。

請求項（抜粋）：

純度99.999重量%以上の高純度ZnSと純度99.999重量%以上の高純度SiO2 との均質混成固結体からなり、90%以上の相対密度を有していることを特徴とする光記録保護膜用スパッタリング・ターゲット。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-136164
  
• 特公平3-013192