特許

J-GLOBAL ID：200903023071279001

半導体装置及びその製造方法

発明者： 臼井 孝公 ,  伊藤 祥代 ,  渡部 忠兆 ,  金子 尚史 ,  江澤 弘和
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-131886
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330073
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 分断部によって主配線が分断されるので、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションによる配線の特性や信頼性の低下を抑制することができる。また、補助配線を形成することにより、仮に主配線にエレクトロマイグレーション等によるボイドが生じたとしても、ボイドの進展を抑えることができる。また、分断部にバリア膜を形成し、その内側にバリア膜の構成材料よりも抵抗率の低い材料を用いて低抵抗部を形成することにより、配線全体の低抵抗化をはかることができる。【解決手段】 半導体基板の主面側に形成され分断部15によって長さ方向に分断された主配線部16と、この主配線部16下及び分断部15下に高融点金属を主成分とする材料を用いて連続的に形成された補助配線部12とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面側に形成され分断部によって長さ方向に分断された複数の主配線部と、この主配線部下及び分断部下に高融点金属を主成分とする材料を用いて連続的に形成された補助配線部とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 A ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 B