特許
J-GLOBAL ID：200903023071820241
光弁用半導体装置とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059159
公開番号（公開出願番号）：特開平6-273797
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 高速動作可能な駆動回路を内蔵し、液晶のセルギャップが均一に保持された小型の光弁装置を形成できる光弁用半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコン単結晶薄膜デバイス形成層101内に形成された画素領域502と駆動回路103とを同一チップ内に内蔵した光弁装置において、画素領域502は、光透過を可能としてあり、画素領域以外の領域のシリコン単結晶薄膜デバイス形成層及びシリコン単結晶薄膜デバイス形成層下の絶縁層102の厚さによって液晶のセルギャップを規定したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶薄膜デバイス形成層内に形成された画素領域と駆動回路とを同一チップ内に内蔵した光弁装置において、画素領域は、光透過を可能としてあり、画素領域以外の領域の該シリコン単結晶薄膜デバイス形成層及び該シリコン単結晶薄膜デバイス形成層下の絶縁層の厚さによって液晶のセルギャップを規定したことを特徴とする光弁用半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/784
