特許

J-GLOBAL ID：200903023073443860

酸化物超電導導体の製造方法及びその装置

発明者： 柿本 一臣 ,  飯島 康裕
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-218930
公開番号（公開出願番号）：特開2004-059983
出願日： 2002年07月26日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】均質な酸化物超電導導体薄膜を具備した、長尺物の酸化物超電導導体を得るための方法と装置を提供する。【解決手段】本発明の酸化物超電導導体の製造方法は、基材に電流を流して基材を加熱しながらターゲットから発生した粒子を堆積させて酸化物超電導導体を製造する方法とした。基材に電流を流すためには、基材を送出する装置と巻き取る装置の回転軸に電流接続端子を設け、回転軸にブラシを摺動させて電流を供給する装置を利用することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

蒸着処理室内に設けた酸化物超電導体、または酸化物超電導体と同等の組成あるいは成膜中に逃避し易い成分を多く含有させた複合酸化物の焼結体からなるターゲットから発生させた粒子を、ターゲットの近傍を移動中の基材上に連続的に堆積させて酸化物超電導導体を製造する方法において、基材に電流を流して基材を加熱しながらターゲットから発生した粒子を堆積させることを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。

IPC (4件)：

C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00

FI (4件)：

C23C14/08 K ,  C23C14/28 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 565D

Fターム (18件)：

4K029AA02 ,  4K029AA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BC04 ,  4K029CA01 ,  4K029DA08 ,  4K029DB20 ,  4K029JA10 ,  4K029KA01 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB36 ,  5G321DB37 ,  5G321DB39 ,  5G321DB40