多層干渉パターンの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-205856
公開番号（公開出願番号）：特開平5-045514
出願日： 1991年08月16日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：

【要約】【目的】多層干渉膜の表面を欠陥少なく、最終表面が平坦に形成することを目的としている。【構成】まず、ガラス基板(1)の上にSiO2の真空蒸着膜(2)を施す。次にレジストパターン(3a)を形成した後は、図12に示す出来上がったカラーフィルターの表面が平坦になるように予め最大膜厚の多層干渉膜から最小膜厚(ここでは3色目の青色透過フィルター膜厚)を差し引いた膜厚分だけドライエッチングによりSiO2蒸着膜を異方性エッチングする。1色目の多層干渉フィルターとして緑色透過フィルターとなる緑色低温蒸着層1.94μm(4)を、図3に示すようにベタに形成する。1色目の緑色透過フィルターパターンの非形成部をレジストにより、図4に示すようにリフトオフする。以上の工程を2色目3色目各々繰返して図12に示す様な表面が平坦なカラーフィルターを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に多層干渉膜のパターンを形成する方法において、順に以下の(1)(2)(3)の工程よりなる多層干渉膜パターンの形成方法。(1)基板上にSiO2膜を真空蒸着する。(2)パターン非形成部にレジストをパターニングし、最大で多層干膜厚分だけSiO2膜をドライエッチングし、これに多層干渉膜を全面に真空蒸着、しかる後レジストを除去するリフトオフ法にて多層干渉膜を所望のパターン形成をする。(3)(2)の工程を1度以上繰り返す。

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