特許
J-GLOBAL ID：200903023078572987
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278027
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121387
出願日： 1991年10月24日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】本発明は、シリコン基板の表面に起伏を生じさせることなく、900°C以上の高温熱処理によりシリコン基板の表面付近の酸素析出物を除去することを目的とする。【構成】素子形成前のシリコン基板8を水分含有量が50ppb以下で温度が900°C以上のN2 ガス雰囲気中で高温熱処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
シリコン基板を水分含有量が50ppb以下で温度が900°C以上のガス雰囲気中で基板表面が露出する条件で熱処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, C30B 33/02
