特許
J-GLOBAL ID：200903023085338345
光電面、二次電子面及び電子管
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-168154
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357449
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 Si基板上に成膜したCVD多結晶ダイヤモンド光電面及び二次電子面は紫外域で高い量子効率を有する。しかし、多結晶ダイヤモンドは粒成長した多結晶体であるため粒界が存在し、膜の均質性・平滑性が良くない。また、成膜時に基板は高温のプラズマ中に曝され高温になるため、ガラス等の低軟化点基板又は低融点基板への成膜は難しく、透明基板上への均一な成膜が難しい。そこで、本発明は上記課題を解決した構成の光電面、二次電子面及びそれらを備えた電子管を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明に係る光電面及び二次電子面は、アモルファスダイヤモンド又はアモルファスダイヤモンドを主成分とする材料によって構成されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
光の入射により光電子が外部に放出される光電面において、アモルファスダイヤモンド又はアモルファスダイヤモンドを主成分とする材料によって構成されることを特徴とする光電面。
IPC (4件)：
H01J 1/34
, H01J 1/32
, H01J 40/06
, H01J 43/10
H01J 1/34 A
, H01J 1/32 A
, H01J 40/06
, H01J 43/10
