化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐野静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-302281
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114615
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】多重細線チャンネルFET等の如き1次元チャンネルを有する化合物半導体装置においてストライプ側面からの容量を低減し雑音特性を改善する。【構成】本発明の化合物半導体装置は、複数の半導体層が上下に隣接するように設けられた半導体に所定間隔で形成された複数のイオン注入層8と、前記イオン注入層8間に形成されたチャンネル7と、前記イオン注入層8及びチャンネル7上に形成されたゲ-ト電極6と、このゲ-ト電極の両側に形成されたソ-スおよびドレイン電極とからなっており、これを、半導体基板上に所定の複数の半導体層を順次形成する工程と、前記複数の半導体層が形成された後、部分的絶縁化のため表面からイオン注入を所定間隔ごとに施す工程と、前記イオン注入後に前記表面上にゲ-ト電極用の金属層を施す工程と、ゲート電極の両側にソースおよびドレイン電極用の金属層を施す工程と、から成る製造方法で作成する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体層が上下に隣接するように設けられた半導体に所定間隔で形成された複数のイオン注入層と、前記イオン注入層間に形成されたチャンネルと、前記イオン注入層及びチャンネル上に形成されたゲ-ト電極と、前記ゲ-ト電極の両側に形成されたソ-ス電極およびドレイン電極と、から成る多重細線チャンネル型の化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/80 F , H01L 21/265 Z , H01L 21/265 C

前のページに戻る