特許
J-GLOBAL ID:200903023090709602
半導体装置と半導体装置の製造方法及びガスセンサとガスセンサの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-152076
公開番号(公開出願番号):特開2002-340832
出願日: 2001年05月22日
公開日(公表日): 2002年11月27日
要約:
【要約】【課題】 リード線ワイヤの破断可能性が少なく、線径が細く剛性の低いリード線ワイヤの使用が可能で、消費電力を低減できるガスセンサを提供する。【解決手段】 リード線ワイヤ6を、ヒータ用電極3と感応体用電極8とに超音波熱圧着によって接合するので、他の一般的な溶接法でリード線ワイヤを電極に接合する場合に比べて、ワイヤ6が破断し難く、線径が細く剛性の低いリード線ワイヤ6の使用が可能となり、線径が細いリード線ワイヤ6を使用することにより、リード線ワイヤ6を伝わる熱による放熱が少なくなり、感応体膜9を所定温度に加熱するヒータ2の消費電力を低減できる。
請求項(抜粋):
電極を絶縁性基板上に設け、リード線ワイヤを前記電極に接合した半導体装置であって、前記リード線ワイヤは、前記電極に超音波熱圧着によって接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
G01N 27/12
, H01L 21/60 301
, H01L 21/60
FI (3件):
G01N 27/12 B
, H01L 21/60 301 F
, H01L 21/60 301 Z
Fターム (22件):
2G046AA21
, 2G046AA23
, 2G046BA01
, 2G046BB02
, 2G046BC03
, 2G046BC05
, 2G046BC09
, 2G046BE03
, 2G046DB04
, 2G046DB05
, 2G046EA09
, 2G046FA00
, 2G046FB02
, 2G046FE00
, 2G046FE29
, 2G046FE31
, 2G046FE39
, 2G046FE48
, 5F044CC02
, 5F044CC07
, 5F044EE04
, 5F044EE06
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